头条新闻!英特尔Arrow Lake-U/H/HX处理器现身海关数据:部分采用台积电N3B工艺,性能再升级

博主:admin admin 2024-07-04 02:57:40 216 0条评论

英特尔Arrow Lake-U/H/HX处理器现身海关数据:部分采用台积电N3B工艺,性能再升级

北京 - 2024年6月14日,据外媒报道,近日有部分型号的英特尔Arrow Lake-U/H/HX移动处理器现身海关数据,其中部分采用台积电N3B工艺制造,这标志着英特尔首次在移动处理器中使用台积电的3nm工艺。

采用台积电N3B工艺,性能再突破

台积电N3B工艺是台积电3nm工艺的增强版,相比于上一代N5工艺,性能提升了10-15%,功耗降低了10-15%。这意味着采用N3B工艺的英特尔Arrow Lake-U/H/HX移动处理器将拥有更强劲的性能和更长的续航能力。

Arrow Lake-U/H/HX:全方位升级

除了部分采用台积电N3B工艺之外,英特尔Arrow Lake-U/H/HX移动处理器还采用了全新的Raptor Lake架构,并整合了Xe核显。据悉,Arrow Lake-U系列处理器将拥有2-10个核心,4-20个线程,主频最高可达5.0GHz;Arrow Lake-H系列处理器将拥有6-16个核心,12-32个线程,主频最高可达5.5GHz;Arrow Lake-HX系列处理器将拥有8-16个核心,16-32个线程,主频最高可达5.7GHz。

英特尔与台积电合作,共创芯片未来

英特尔此次在Arrow Lake-U/H/HX移动处理器中采用台积电N3B工艺,标志着英特尔与台积电合作的进一步深化。两家芯片巨头的合作将有利于推动芯片技术的进步,为消费者带来更高性能、更低功耗的芯片产品。

总而言之,英特尔Arrow Lake-U/H/HX移动处理器的出现,代表了英特尔在移动处理器领域的新突破。其采用台积电N3B工艺,并拥有全新的Raptor Lake架构和Xe核显,将为用户带来更加强劲的性能和更出色的体验。

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三星李在镕会见Verizon CEO:深化合作,共创5G新未来

北京 - 2024年6月17日 - 三星电子副会长李在镕近日在美国纽约会见了美国电信巨头Verizon的CEO汉斯·韦斯特伯格,双方就加强两家公司在5G技术、Galaxy产品线以及人工智能等领域的合作进行了深入探讨。此次会晤标志着三星和Verizon战略合作关系的进一步深化,双方将携手共创5G新未来。

5G技术合作再升级

5G技术是全球科技发展的重要前沿,也是三星和Verizon一直高度重视的领域。两家公司在5G研发、部署和应用方面有着长期的合作历史。此次会晤中,李在镕和韦斯特伯格重点探讨了下一代5G技术的研发和应用,并达成了一系列共识。双方将进一步加强在5G核心技术领域的合作,共同推动5G技术的创新发展。

Galaxy产品线合作再加码

Galaxy系列产品是三星的拳头产品,也是Verizon的重要合作伙伴。双方在Galaxy手机、平板电脑、可穿戴设备等方面有着密切的合作。此次会晤中,李在镕和韦斯特伯格重点讨论了Galaxy产品线的未来发展规划,并达成了一系列新的合作协议。双方将进一步加强在产品研发、营销推广和渠道销售等方面的合作,为用户提供更加优质的Galaxy产品和服务。

人工智能合作开创新篇章

人工智能是科技发展的另一大重要趋势,也是三星和Verizon积极布局的领域。双方在人工智能技术研发和应用方面有着广阔的合作空间。此次会晤中,李在镕和韦斯特伯格重点探讨了人工智能在手机服务和科技领域的应用,并达成了一系列新的合作协议。双方将携手推进人工智能技术的创新应用,为用户提供更加智能化、个性化的服务和体验。

深化合作,共创未来

李在镕表示:“三星和Verizon是全球领先的科技企业,在5G、Galaxy产品线和人工智能等领域有着密切的合作。此次会晤进一步深化了双方的战略合作关系,为双方未来发展奠定了更加坚实的基础。三星愿与Verizon携手合作,共同推动5G技术创新发展,为用户提供更加优质的产品和服务,共创5G新未来。”

韦斯特伯格表示:“三星是Verizon的重要合作伙伴,双方在多个领域有着密切的合作。我们相信,通过此次会晤达成的合作协议,双方将能够进一步发挥各自优势,在5G、Galaxy产品线和人工智能等领域取得更大进展,为用户提供更加卓越的体验。”

此次李在镕与韦斯特伯格的会晤,是三星和Verizon战略合作关系发展历程中的又一个重要里程碑。相信在双方的共同努力下,三星和Verizon将能够在5G、Galaxy产品线和人工智能等领域取得更加辉煌的成就,为全球用户带来更加美好的数字生活体验。

The End

发布于:2024-07-04 02:57:40,除非注明,否则均为益佰新闻网原创文章,转载请注明出处。